SI1016X-T1-GE3, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 77 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор N/P-Ch МОП-транзистор 700/1200 mohms@4.5V

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1532516

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel, P-Channel

Вес, г

0.032

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

400 mA, 600 mA

Pd - рассеивание мощности

280 mW, 280 mW

Qg - заряд затвора

750 pC, 1500 pC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

750 mOhms, 1.2 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

4.5 V, 4.5 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

450 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Другие названия товара №

SI1016X-GE3

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

2 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Конфигурация

Dual

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

0.4 S, 1 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SI1

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel, 1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

25 ns, 35 ns

Типичное время задержки при включении

5 ns, 5 ns

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Упаковка / блок

SOT-563-6

Техническая документация

Datasheet SI1016X-T1-GE3 , pdf , 158 КБ

SI1016X-T1-GE3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 77 руб.

Техническая документация