SI2328DS-T1-GE3, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 150 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 100V Vds 20V Vgs SOT-23

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1531852

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.008

Ширина

1.6 mm

Высота

1.45 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Id - непрерывный ток утечки

1.15 A

Pd - рассеивание мощности

0.73 W

Qg - заряд затвора

3.3 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

250 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

11 ns

Время спада

10 ns

Длина

2.9 mm

Другие названия товара №

SI2328DS-GE3

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

4 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SI2

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

9 ns

Типичное время задержки при включении

7 ns

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Упаковка / блок

SOT-23-3

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Continuous Drain Current (A)

1.15

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

250@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

100

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

730

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

SOT-23

Supplier Package

SOT-23

HTS

8541.29.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

3.3@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

3.3

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Automotive

Military

Package Height

1.02(Max)

Package Length

3.04(Max)

Package Width

1.4(Max)

Process Technology

TrenchFET

Техническая документация

Datasheet SI2328DS-T1-GE3 , pdf , 203 КБ
Datasheet SI2328DS-T1-GE3 , pdf , 208 КБ

SI2328DS-T1-GE3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 150 руб.

Техническая документация