IRFBE30S - характеристики, поставщики

IRFBE30S

Последняя цена 370 руб.

IRFBE30S

Сравнить

Описание

МОП-транзистор

МОП-транзистор N-Chan 800V 4.1 Amp

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1531750

Технические параметры

Ширина

9.65 mm

Высота

4.83 mm

Pin Count

3

Вид монтажа

SMD/SMT

Длина

10.67 mm

Категория продукта

МОП-транзистор

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

IRFBE

Технология

Si

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Упаковка / блок

TO-263-3

Упаковка

Tube

Number of Elements per Chip

1

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

N

Configuration

Single

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant with Exemption

Maximum Continuous Drain Current (A)

4.1

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

3000@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

800

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

125000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Part Status

Active

PCB changed

2

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

TO-263

Supplier Package

D2PAK

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

1300@25V

HTS

8542.39.00.01

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

78(Max)@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

78(Max)

Typical Fall Time (ns)

30

Typical Rise Time (ns)

33

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

82

Typical Turn-On Delay Time (ns)

12

Automotive

No

Military

No

Package Height

4.83(Max)

Package Length

10.41(Max)

Package Width

9.65(Max)

Tab

Tab

Техническая документация

Datasheet , pdf , 510 КБ