ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
APT24M120B2 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Microchip Technology
APT24M120B2
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
APT24M120B2
Последняя цена
2190 руб.
Сравнить
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-Channel 1200V 24A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAXв„ў [B2]
Информация
Производитель
Microchip Technology
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1527002
Технические параметры
Series
POWER MOS 8в„ў ->
Base Product Number
APT24M120 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8370pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3 Variant
Power Dissipation (Max)
1040W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
630mOhm @ 12A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
RoHS Compliant
Supplier Device Package
T-MAXв„ў [B2]
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Техническая документация
Datasheet APT24M120B2 , pdf
, 208 КБ