ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
JANTX2N5237 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Microchip Technology
JANTX2N5237
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
JANTX2N5237
Последняя цена
3760 руб.
Сравнить
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор NPN 120V 10A 1W Through Hole TO-5
Информация
Производитель
Microchip Technology
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1523547
Технические параметры
Base Product Number
2N5237 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
10A
Current - Collector Cutoff (Max)
10ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 5A, 5V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65В°C ~ 200В°C (TJ)
Package
Bulk
Package / Case
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Power - Max
1W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
RoHS non-compliant
Supplier Device Package
TO-5
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 1A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120V
Series
Military, MIL-PRF-19500/394 ->
Notification
QPL or Military Specs are for reference only. Part
