ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DMN2016LFG-7 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
DMN2016LFG-7
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
DMN2016LFG-7
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор МОП-транзистор N-CHANNEL DFN DFN3030-8 GREEN 3K
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1511397
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
51.6
Минимальная рабочая температура
55 C
Pin Count
8
Id - непрерывный ток утечки
5.2 A
Pd - рассеивание мощности
770 mW
Qg - заряд затвора
16 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
30 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
8 V, + 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
Dual
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
DMN2016
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
2 N-Channel
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
U-DFN3030-8
Number of Elements per Chip
2
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Common Quad Drain
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant
Lead Shape
No Lead
Maximum Continuous Drain Current (A)
5.2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
18@4.5V
Maximum Drain Source Voltage (V)
20
Maximum Gate Source Voltage (V)
±8
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
770
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Part Status
Active
PCB changed
8
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
DFN
Supplier Package
DFN EP
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
1472@10V
HTS
8541.21.00.95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
16@4.5V
Typical Fall Time (ns)
46.8
Typical Rise Time (ns)
13.2
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
84.5
Typical Turn-On Delay Time (ns)
2.6
Automotive
No
Military
No
Package Height
0.58
Package Length
3
Package Width
3
Техническая документация
Datasheet DMN2016LFG-7 , pdf
, 190 КБ
Datasheet DMN2016LFG-7 , pdf
, 184 КБ
