BC856BWT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SC703, АБ

Корпус SC703, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 150 мВт, Напряжение КЭ максимальное 65 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 125, Коэффициент усиления по току, max 250

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1497184

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.028

Base Product Number

BC856 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power - Max

150mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SC-70-3 (SOT323)

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

65V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-0.65 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

100 МГц

Number of Elements per Chip

Length

2.2мм

Maximum Collector Base Voltage

-80 V

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

65 V

Package Type

SOT-323 (SC-70)

Maximum Power Dissipation

150 mW

Minimum Operating Temperature

-50 °C

Width

1.35mm

Maximum DC Collector Current

100 мА

Height

0.9мм

Pin Count

Dimensions

2.2 x 1.35 x 0.9mm

Maximum Emitter Base Voltage

-5 V

Minimum DC Current Gain

220

Pd - рассеивание мощности

150 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.85 mm

Длина

2.1 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

150

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

65 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC856BW

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SC-70-3

Ширина

1.24 mm

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.65 V

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.21.00.75

Type

PNP

Product Category

Bipolar Small Signal

Material

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Operating Junction Temperature (°C)

-55 to 150

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

0.7(Typ)@0.5mA@10mA|0.9(Typ)@5mA@100mA

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA

Maximum DC Collector Current (A)

0.1

Maximum Collector Cut-Off Current (nA)

Maximum Power Dissipation (mW)

150

Maximum Transition Frequency (MHz)

100(Min)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

SOT-323

Supplier Package

SC-70

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

0.85

Package Length

2.1

Package Width

1.24

PCB changed

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

-0.9 V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 83 КБ
Datasheet , pdf , 202 КБ
Datasheet , pdf , 142 КБ

BC856BWT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация