NTA7002NT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 30 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: SC-75, SOT-416, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 154 мА, 0.3Вт

N-канальный полевой МОП-транзистор с диодом Шоттки, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1488617

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.02

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOT-416 (SC-75)

Ширина

0.8 mm

Высота

0.75 mm

Transistor Material

Length

1.65mm

Brand

ON Semiconductor

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Base Product Number

NTA7002 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

154mA (Tj)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 5V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-75, SOT-416

Power Dissipation (Max)

300mW (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7Ohm @ 154mA, 4.5V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SC-75, SOT-416

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 100ВµA

Id - непрерывный ток утечки

154 mA

Pd - рассеивание мощности

300 mW

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

7 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

4.5 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

500 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

15 ns

Время спада

60 ns

Длина

1.6 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

80 mS

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

NTA7002N

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

98 ns

Типичное время задержки при включении

13 ns

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SC-75-3

Продукт

MOSFET Small Signal

Тип

MOSFET

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

150 mA

Maximum Power Dissipation

300 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

0.9mm

Height

0.8mm

Maximum Drain Source Resistance

7.5 Ω

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

Datasheet , pdf , 184 КБ

NTA7002NT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 30 руб.

Техническая документация