FZT851TA, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 110 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

корпус: SOT-223, инфо: Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 6 А, 3Вт

NPN-транзисторы общего назначения, более 1,5 А, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1487215

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.85

Base Product Number

FZT851 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

50nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 1V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

130MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power - Max

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

375mV @ 300mA, 6A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum DC Collector Current

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Pd - Power Dissipation

Максимальное напряжение коллектор-база

150 В

Тип монтажа

Surface Mount

Тип транзистора

NPN

Размеры

1.65 x 6.55 x 3.55мм

Pd - рассеивание мощности

3 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.65мм

Длина

6.55мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

25 at 10 A, 1 V

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

20 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

150 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

7 V

Непрерывный коллекторный ток

6 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

FZT851

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-223-4

Ширина

3.55мм

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

130 MHz

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

3 Вт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

375 mV

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальный пост. ток коллектора

6 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Число контактов

3 + Tab

Тип корпуса

SOT-223

Производитель

DiodesZetex

Техническая документация

Datasheet FZT851TA , pdf , 458 КБ
Datasheet FZT851TA , pdf , 534 КБ
Datasheet , pdf , 450 КБ

FZT851TA - характеристики, поставщики

Последняя цена 110 руб.

Техническая документация