ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSH103,235 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BSH103,235
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BSH103,235
Последняя цена
49 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: SOT-23 (TO-236AB), инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 0.85 А, 0.75Вт
МОП-транзистор TAPE13 МОП-транзистор
Информация
Производитель
Nexperia
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1484225
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.05
Ширина
1.4 mm
Высота
1 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
850 mA
Pd - рассеивание мощности
750 mW (3/4 W)
Qg - заряд затвора
2100 pC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
400 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
4.5 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
400 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
7 ns
Время спада
3.5 ns
Длина
3 mm
Другие названия товара №
/T3 BSH103
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
10000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel MOS Transistor
Типичное время задержки выключения
20 ns
Типичное время задержки при включении
2.5 ns
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-23-3
Продукт
MOSFET Small Signal
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
850mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
540mW
Rds On - Drain-Source Resistance
400mО© @ 500mA,4.5V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30V
Vgs - Gate-Source Voltage
400mV @ 1mAпј€Minпј‰
Техническая документация
Datasheet BSH103 , pdf
, 194 КБ
Datasheet BSH103.235 , pdf
, 194 КБ