BC856ALT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 13 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

корпус: SOT-23-3 (TO-236), инфо: Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А, 0.225Вт

Малосигнальные транзисторы PNP, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1483569

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.05

Base Product Number

BC856 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

125 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

300mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

65V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.65 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

100 MHz

Number of Elements per Chip

Maximum Collector Base Voltage

80 V

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

65 V

Package Type

SOT-23

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum DC Collector Current

100 mA

Height

0.94mm

Pin Count

Dimensions

0.94 x 2.9 x 1.3mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Minimum DC Current Gain

125@2mA@5V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

Pd - Power Dissipation

300mW

Конфигурация транзистора

Одинарный

Pd - рассеивание мощности

225 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.94 mm

Длина

2.9mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

125

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

65 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC856AL

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3mm

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

300 mW

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.65 V

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

PNP

Product Category

Bipolar Small Signal

Material

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA

Maximum DC Collector Current (A)

0.2

Maximum Collector Cut-Off Current (nA)

Maximum Power Dissipation (mW)

300

Maximum Transition Frequency (MHz)

100(Min)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-23

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

0.94

Package Length

2.9

Package Width

1.3

PCB changed

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

0.9 V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 84 КБ
Datasheet , pdf , 216 КБ
Datasheet , pdf , 210 КБ

BC856ALT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 13 руб.

Техническая документация