ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJD253T4G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MJD253T4G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJD253T4G
Последняя цена
79 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
корпус: DPAK-3, инфо: Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 4 А, 12.5Вт
Силовые транзисторы PNP, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1469027
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.48
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Type
PNP
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.6 V dc
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
10 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
6.73mm
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
100 В
Package Type
DPAK (TO-252)
Maximum Power Dissipation
12.5 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
6.22mm
Maximum DC Collector Current
4 A
Height
2.38mm
Pin Count
2
Dimensions
6.73 x 6.22 x 2.38mm
Maximum Emitter Base Voltage
7 V
Minimum DC Current Gain
15
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Pd - Power Dissipation
1.4W
Pd - рассеивание мощности
12.5 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
2.38 mm
Длина
6.73 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
40
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
4 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7 V
Непрерывный коллекторный ток
4 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
MJD253
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
TO-252-3
Ширина
6.22 mm
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
40 MHz
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.6 V
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
PNP
Product Category
Bipolar Power
Material
Si
Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage (V)
100
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
100
Maximum Emitter Base Voltage (V)
7
Operating Junction Temperature (°C)
-65 to 150
Maximum Base Current (A)
1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
1.8@200mA@2A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.3@50mA@500mA|0.6@100mA@1A
Maximum DC Collector Current (A)
4
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
100
Maximum Power Dissipation (mW)
1400
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Standard Package Name
TO-252
Supplier Package
DPAK
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
2.38(Max)
Package Length
6.73(Max)
Package Width
6.22(Max)
PCB changed
2
Tab
Tab
Lead Shape
Gull-wing
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1,8 В пост. тока
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 108 КБ
Datasheet MJD253T4G , pdf
, 112 КБ
Datasheet MJD253T4G , pdf
, 194 КБ
