PZT651T1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 89 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

корпус: SOT-223, инфо: Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2 А, 0.8Вт

NPN-транзисторы общего назначения, более 1 А, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1461377

Технические параметры

Вес, г

0.21

Base Product Number

PZT651 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 1A, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

75MHz

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power - Max

800mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

100 MHz

Number of Elements per Chip

Length

6.7мм

Maximum Collector Base Voltage

80 V

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

60 V

Package Type

SOT-223

Maximum Power Dissipation

800 мВт

Width

3.7мм

Maximum DC Collector Current

2 A

Pin Count

3 + Tab

Dimensions

6.7 x 3.7 x 1.65mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Minimum DC Current Gain

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Pd - Power Dissipation

800mW

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Высота

1.65мм

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

800 мВт

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.75

Type

NPN

Product Category

Bipolar Small Signal

Material

Configuration

Single Dual Collector

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

1.2@100mA@1A

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.3@100mA@1A|0.5@200mA@2A

Maximum DC Collector Current (A)

Maximum Collector Cut-Off Current (nA)

100

Maximum Power Dissipation (mW)

800

Maximum Transition Frequency (MHz)

75(Min)

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-223

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

1.57

Package Length

6.5

Package Width

3.5

PCB changed

Tab

Lead Shape

Gull-wing

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальный пост. ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

3 + Tab

Pd - рассеивание мощности:

800 mw

Вид монтажа:

smd/smt

Категория продукта:

биполярные транзисторы-bjt

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):

Конфигурация:

single

Максимальная рабочая температура:

+150 c

Максимальный постоянный ток коллектора:

2 a

Напряжение коллектор-база (VCBO):

80 v

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:

60 v

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:

0.5 v

Напряжение эмиттер-база (VEBO):

5 v

Непрерывный коллекторный ток:

2 a

Подкатегория:

transistors

Полярность транзистора:

npn

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):

75 mhz

Производитель:

onsemi

Размер фабричной упаковки:

1000

Технология:

Тип продукта:

bjts-bipolar transistors

Торговая марка:

onsemi

Упаковка / блок:

sot-223-4

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1.2 V

Тип корпуса

SOT-223

Страна происхождения

Минимальная рабочая температура:

-65 c

Упаковка:

cut tape, mousereel, reel

Серия:

pzt651

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet PZT651T1G , pdf , 138 КБ
Datasheet PZT651T1G , pdf , 103 КБ
Datasheet PZT651T1G , pdf , 137 КБ
Datasheet , pdf , 59 КБ

PZT651T1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 89 руб.

Техническая документация