IXFH26N50P, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 740 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TO-247AD (IXFH), инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 26 А, 400 Вт

N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™
N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1460158

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-247

Рассеиваемая Мощность

400Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

500В

Непрерывный Ток Стока

26А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.23Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

5.5В

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

Линейка Продукции

PolarHV HiPerFET Series

Максимальный непрерывный ток стока

26 А

Максимальное рассеяние мощности

400 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

5.3мм

Высота

21.46мм

Количество элементов на ИС

Series

HiPerFETв„ў, PolarHTв„ў ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

230 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

500 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

26A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power Dissipation (Max)

400W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 13A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247AD (IXFH)

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 4mA

Длина

16.26мм

Серия

HiperFET, Polar

Типичное время задержки выключения

58 нс

Тип корпуса

TO-247

Размеры

16.26 x 5.3 x 21.46мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

20 ns

Производитель

IXYS

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

60 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

3600 pF@ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXFH26N50P , pdf , 365 КБ

IXFH26N50P - характеристики, поставщики

Последняя цена 740 руб.

Техническая документация