IPN60R3K4CEATMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 53 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: SOT-223, инфо: Полевой транзистор N-канальный 600В 2.6A SOT-223-3, CoolMOS

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ CE

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1460036

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.85

Максимальный непрерывный ток стока

2,6 А

Максимальное рассеяние мощности

5 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.5 mm

Высота

1.7мм

Количество элементов на ИС

Brand

Infineon

Series

CoolMOSв„ў ->

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

3,4 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

0.9V

Base Product Number

IPN60R3 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

2.6A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

93pF @ 100V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SOT-223-3

Power Dissipation (Max)

5W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4Ohm @ 500mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT223

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 40ВµA

FET Feature

Super Junction

Id - непрерывный ток утечки

2.6 A

Pd - рассеивание мощности

5 W

Qg - заряд затвора

4.6 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

7.96 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

10 ns

Время спада

60 ns

Длина

6.7мм

Другие названия товара №

IPN60R3K4CE SP001434888

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

CoolMOS CE

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

40 ns

Типичное время задержки при включении

8 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-223-4

Тип корпуса

SOT-223

Число контактов

3 + Tab

Типичный заряд затвора при Vgs

4,6 нКл при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Width

3.7мм

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1043 КБ
Datasheet IPN60R3K4CEATMA1 , pdf , 1226 КБ

IPN60R3K4CEATMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 53 руб.

Техническая документация