IRF7530TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 100 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов

корпус: Micro8[тм], инфо: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8

MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current, Id: 5.4A; Package/Case: 8-uSOIC; Power Dissipation, Pd: 1.3W; Drain Source On Resistance @ 2.7V: 45mohm
Корпус MICRO8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.4 А

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1460035

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.1

Максимальный непрерывный ток стока

5.4 A

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3мм

Высота

0.86мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

30 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

3мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

36 ns

Тип корпуса

MSOP

Размеры

3 x 3 x 0.86мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Изолированный

Типичное время задержки включения

8.5 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

1.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

18 nC @ 4.5 V

Типичная входная емкость при Vds

1310 пФ при 15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 V, +12 V

IRF7530TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 100 руб.