IRF7815TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 150 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: 8-SO, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 5.1 А

MOSFET, N-CH, 150V, 5.1A, SOIC-8
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.1 А, Сопротивление открытого канала (мин) 43 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1460034

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.25

Максимальный непрерывный ток стока

5,1 А

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

43 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

5мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

14 ns

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

8,4 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

1647 пФ при 75 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet IRF7815TRPBF , pdf , 261 КБ

IRF7815TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 150 руб.

Техническая документация