FQAF13N80, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 410 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TO-3PF, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 8 А, 120Вт

N-канал 800V 8A (Tc) 120W (Tc) сквозное отверстие TO-3PF

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1459998

Технические параметры

Вес, г

Series

QFETВ® ->

Base Product Number

FQAF1 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

8A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

88nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-3P-3 Full Pack

Power Dissipation (Max)

120W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750mOhm @ 4A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-3PF

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 982 КБ

FQAF13N80 - характеристики, поставщики

Последняя цена 410 руб.

Техническая документация