ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDMS6681Z - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FDMS6681Z
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDMS6681Z
Последняя цена
210 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: Power56, инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 21.1 А
Корпус DFN-8
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1459996
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
P-Channel
Вес, г
0.22
Максимальный непрерывный ток стока
116 A
Максимальное рассеяние мощности
73 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6мм
Высота
1.05мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
5 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
P
Id - непрерывный ток утечки
21.1 A
Pd - рассеивание мощности
2.5 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
3.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
25 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
38 ns
Время спада
197 ns
Длина
5мм
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
PowerTrench
Конфигурация
Single Quad Drain Triple Source
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
PowerTrench
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
260 нс
Типичное время задержки при включении
15 ns
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок
Power-56-8
Тип корпуса
Power 56
Размеры
5 x 6 x 1.05мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
172 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
7803 пФ при -15 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Техническая документация
Datasheet FDMS6681Z , pdf
, 262 КБ
Datasheet FDMS6681Z , pdf
, 525 КБ
