IXTA3N120TRL, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 620 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TO-263 (IXTA), инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 1200 В, 3 А, 200 Вт

МОП-транзистор IXTA3N120 TRL

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1458762

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

1.7

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

3 A

Pd - рассеивание мощности

200 W

Qg - заряд затвора

42 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4.5 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1.2 kV

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

15 ns

Время спада

18 ns

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

1.5 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

800

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

32 ns

Типичное время задержки при включении

17 ns

Торговая марка

IXYS

Упаковка / блок

TO-263-3

Упаковка

Reel, Cut Tape

Техническая документация

Datasheet IXTA3N120-TRL , pdf , 182 КБ

IXTA3N120TRL - характеристики, поставщики

Последняя цена 620 руб.

Техническая документация