ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STD3NK50ZT4 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STD3NK50ZT4
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STD3NK50ZT4
Последняя цена
91 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: D-Pak, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 2.3 А
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 2.3 А; Rси(вкл): 2.8...3.3 Ом; @Uзатв(ном): до 10 В; Uзатв(макс): 30 В
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.3 Ом
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1457979
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.66
Максимальный непрерывный ток стока
2.3 A
Максимальное рассеяние мощности
45 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.2мм
Высота
2.4мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
3.3 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Pin Count
3
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
6.6мм
Серия
MDmesh, SuperMESH
Типичное время задержки выключения
24 ns
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Размеры
6.6 x 6.2 x 2.4мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
8 нс
Производитель
STMicroelectronics
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
11 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
280 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant with Exemption
Lead Shape
Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)
2.3
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
3300@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
500
Maximum Gate Source Voltage (V)
±30
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
45000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Part Status
Active
PCB changed
2
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
TO-252
Supplier Package
DPAK
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
280@25V
HTS
8541.10.00.80
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
11@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
11
Typical Fall Time (ns)
14
Typical Rise Time (ns)
13
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
24
Typical Turn-On Delay Time (ns)
8
Automotive
No
Military
No
Package Height
2.4(Max)
Package Length
6.6(Max)
Package Width
6.2(Max)
Tab
Tab
Техническая документация
Datasheet STD3NK50ZT4 , pdf
, 432 КБ
