ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BD243CG - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BD243CG
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BD243CG
Последняя цена
150 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
корпус: TO-220AB, инфо: Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А, 65W
Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1456609
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
2.64
Base Product Number
BD243 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
6A
Current - Collector Cutoff (Max)
700ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 3A, 4V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
3MHz
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
Power - Max
65W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 1A, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
1 МГц
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Package Type
TO-220
Maximum Power Dissipation
65 Вт
Pin Count
3
Maximum Emitter Base Voltage
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
100 V dc
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
NPN
Размеры
10.28 x 4.82 x 15.75мм
Высота
15.75мм
Длина
10.28мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
4.82мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,5 В пост. тока
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
65 W
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальный пост. ток коллектора
6 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
1 МГц
Число контактов
3
Тип корпуса
TO-220
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
15
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 240 КБ
