STY60NK30Z, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 550 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1455900

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

7.17

Максимальный непрерывный ток стока

60 A

Максимальное рассеяние мощности

450 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

5.3мм

Высота

20.3мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

45 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

300 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

15.9мм

Серия

MDmesh, SuperMESH

Типичное время задержки выключения

150 нс

Тип корпуса

Max247

Размеры

15.9 x 5.3 x 20.3мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

50 ns

Производитель

STMicroelectronics

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

220 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

7200 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

60A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

450W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

300V

Vgs - Gate-Source Voltage

4.5V @ 100uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 191 КБ

STY60NK30Z - характеристики, поставщики

Последняя цена 550 руб.

Техническая документация