MJE15029G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

корпус: TO-220AB, инфо: Биполярный транзистор, PNP, 120 В, 8 А, 50W

Биполярные транзисторы - BJT 8A 120V 50W PNP

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1455899

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

2.85

Base Product Number

MJE15029 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

30MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power - Max

50W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

120V

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

120 V

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

PNP

Размеры

9.28 x 10.28 x 4.82мм

Pd - рассеивание мощности

50 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

9.28мм

Длина

10.28мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

8 A

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

120 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

120 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

8 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

Серия

MJE15029

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-220-3

Ширина

4.82мм

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

30 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,5 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

50 Вт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.5 V

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

120 V

Максимальный пост. ток коллектора

8 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

30 MHz

Число контактов

Тип корпуса

TO-220AB

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

Datasheet , pdf , 77 КБ
Datasheet , pdf , 226 КБ
Datasheet , pdf , 80 КБ

MJE15029G - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация