ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FQPF2N60C - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FQPF2N60C
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FQPF2N60C
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: TO-220F, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 2 А
МОП-транзистор 600V N-Channel Advance Q-FET
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1455897
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
3.1
Максимальный непрерывный ток стока
2 A
Максимальное рассеяние мощности
23 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.7
Высота
9.19мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
4.7 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Id - непрерывный ток утечки
2 A
Pd - рассеивание мощности
23 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
4.7 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
25 ns
Время спада
28 ns
Длина
10.16мм
Другие названия товара №
FQPF2N60C_NL
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
QFET
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
5 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
QFET
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
24 ns
Типичное время задержки при включении
9 ns
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок
TO-220FP-3
Тип
MOSFET
Упаковка
Tube
Тип корпуса
TO-220F
Размеры
10.16 x 4.7 x 9.19мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
9 нс
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
8.5 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
180 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Техническая документация
Datasheet FQPF2N60C , pdf
, 1593 КБ
