BD441G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 77 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

корпус: TO-225AA, инфо: Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 4 А, 36Вт

Биполярные транзисторы - BJT 4A 80V 36W NPN

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1455857

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.77

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.8 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

7.8мм

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Package Type

TO-225

Width

3мм

Height

11.1мм

Pin Count

Dimensions

7.8 x 3 x 11.1мм

Maximum Emitter Base Voltage

5 V dc

Minimum DC Current Gain

15@2A@1V|40@0.5A@1V|30@3A@1V|15@10mA@5V

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

NPN

Pd - рассеивание мощности

36 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

11.04 mm (Max)

Длина

7.74 mm (Max)

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Одиночный

Максимальный постоянный ток коллектора

4 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

4 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

500

Серия

BD441

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Bulk

Упаковка / блок

TO-225-3

Ширина

2.66 mm (Max)

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

3 MHz

Максимальное рассеяние мощности

36 Вт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.8 V

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

NPN

Product Category

Bipolar Power

Material

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.8@0.2A@2A

Maximum DC Collector Current (A)

Maximum Power Dissipation (mW)

36000

Maximum Transition Frequency (MHz)

3(Min)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Box

Automotive

Supplier Package

TO-225

Military

Mounting

Through Hole

Package Height

11.04(Max)

Package Length

7.74(Max)

Package Width

2.66(Max)

PCB changed

Tab

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 V dc

Maximum Continuous Collector Current

4 А

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

Datasheet , pdf , 79 КБ
Datasheet , pdf , 76 КБ

BD441G - характеристики, поставщики

Последняя цена 77 руб.

Техническая документация