NTR4170NT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 29 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1455508

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.05

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOT-23

Максимальное рассеяние мощности

480 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Высота

1.01мм

Количество элементов на ИС

Length

3.04mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Максимальное сопротивление сток-исток

110 мΩ

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

4.76 nC @ 4.5 V

Maximum Gate Source Voltage

±12 V

Прямое напряжение диода

Mounting Type

Surface Mount

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

1.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

±12 В

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

2.4 A

Maximum Power Dissipation

480 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.4mm

Height

1.01mm

Maximum Drain Source Resistance

110 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

NTR4170NT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 29 руб.