ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BD442G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BD442G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BD442G
Последняя цена
130 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
корпус: TO-225AA, инфо: Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4 А, 36Вт
Биполярные транзисторы - BJT 4A 80V 36W PNP
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1455348
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.74
Base Product Number
BD442 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
4A
Current - Collector Cutoff (Max)
100ВµA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 500mA, 1V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
3MHz
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Bulk
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Power - Max
36W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-225AA
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
800mV @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80V
Pd - рассеивание мощности
36 W
Вид монтажа
Through Hole
Высота
11.04 mm
Длина
7.74 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
15
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
4 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
4 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
500
Серия
BD442
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка
Bulk
Упаковка / блок
TO-225-3
Ширина
2.66 mm
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
3 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.8 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 163 КБ
Datasheet , pdf
, 79 КБ
