MJD31C1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 52 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

корпус: I-Pak, инфо: Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А, 15W

Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1454925

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.68

Base Product Number

MJD31 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

50ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 3A, 4V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

3MHz

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Power - Max

1.56W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

I-PAK

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 375mA, 3A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

100V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.2 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

1 MHz

Number of Elements per Chip

Length

6.73mm

Maximum Collector Base Voltage

100 V dc

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

100 В

Package Type

IPAK (TO-251)

Maximum Power Dissipation

15 W

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

2.38mm

Maximum DC Collector Current

3 A

Height

6.22mm

Pin Count

Dimensions

6.73 x 2.38 x 6.22mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 В

Minimum DC Current Gain

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Pd - Power Dissipation

1.56W

Pd - рассеивание мощности

1.56 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

2.38 mm

Длина

6.73 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

3 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

100 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

3 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

Серия

MJD31C

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

IPAK-3

Ширина

6.22 mm

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

3 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.2 V

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.21.00.95

Type

NPN

Product Category

Bipolar Power

Material

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

100

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

100

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

1.2@375mA@3A

Maximum DC Collector Current (A)

Maximum Power Dissipation (mW)

1560

Maximum Transition Frequency (MHz)

3(Min)

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tube

Automotive

Standard Package Name

TO-251

Supplier Package

IPAK

Military

Mounting

Through Hole

Package Height

6.35(Max)

Package Length

6.73(Max)

Package Width

2.38(Max)

PCB changed

Tab

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1,8 В пост. тока

Техническая документация

Datasheet , pdf , 96 КБ
Datasheet , pdf , 282 КБ

MJD31C1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 52 руб.

Техническая документация