IRFB7730PBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 380 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TO-220AB, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 195 А, 375Вт

Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 75 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 195 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2.6 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1454889

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

3.03

Максимальный непрерывный ток стока

246 A

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.83мм

Высота

16.51мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

2,6 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

75 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.2V

Длина

10.67мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

180 нс

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.67 x 4.83 x 16.51мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

21 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

271 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

13660 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

195A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

375W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

75V

Vgs - Gate-Source Voltage

3.7V @ 250uA

Прямая активная межэлектродная проводимость

249S

Техническая документация

Datasheet , pdf , 658 КБ

IRFB7730PBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 380 руб.

Техническая документация