ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP4N80K5 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP4N80K5
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP4N80K5
Последняя цена
160 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: TO-220, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 3 А, 60W
N-канальные серии MDmesh ™ K5, SuperMESH5 ™, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1446367
Технические параметры
Вес, г
2.8
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
TO-220
Transistor Material
Si
Length
10.4мм
Brand
STMicroelectronics
Series
MDmesh K5, SuperMESH5
Pin Count
2
Typical Gate Charge @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Configuration
Одиночный
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Power Dissipation
60 Вт
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.6мм
Height
15.75mm
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1295 КБ
