BCP69T1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 41 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

корпус: SOT-223, инфо: Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 1 А, 1.5 Вт

Транзисторы общего назначения PNP, до 1 А, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1442787

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.2

Base Product Number

BCP69 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

10ВµA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

85 @ 500mA, 1V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

60MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power - Max

1.5W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

20V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

60 MHz

Number of Elements per Chip

Length

6.5мм

Maximum Collector Base Voltage

25 V

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

20 V

Package Type

SOT-223

Maximum Power Dissipation

1.5 W

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

3.5мм

Maximum DC Collector Current

1 A

Pin Count

Dimensions

1.57 x 6.5 x 3.5mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Minimum DC Current Gain

85@500mA@1V|50@5mA@10V|60@1A@1V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Pd - Power Dissipation

1.5W

Pd - рассеивание мощности

1.5 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.57мм

Длина

6.5 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

25 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

20 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

BCP69

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-223-4

Ширина

3.5 mm

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

60 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.5 V

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.75

Type

PNP

Product Category

Bipolar Power

Material

Configuration

Single Dual Collector

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Operating Junction Temperature (°C)

-65 to 150

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.5@100mA@1A

Maximum DC Collector Current (A)

Maximum Collector Cut-Off Current (nA)

10000

Maximum Power Dissipation (mW)

1500

Maximum Transition Frequency (MHz)

60(Typ)

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

SOT-223

Supplier Package

SOT-223

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

1.57

Package Length

6.5

Package Width

3.5

PCB changed

Tab

Lead Shape

Gull-wing

Supplier Temperature Grade

Automotive

Техническая документация

Datasheet , pdf , 127 КБ
Datasheet , pdf , 199 КБ
Datasheet BCP69T1G , pdf , 123 КБ

BCP69T1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 41 руб.

Техническая документация