FQP22N30, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 270 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TO-220, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 21 А, 170Вт

FQP22N30 - это силовой полевой МОП-транзистор QFET® с N-канальным режимом расширения, изготовленный с использованием патентованной планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для снижения сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных коммутационных характеристик и высокой устойчивости к лавинной энергии. Он подходит для импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности (PFC) и электронных балластов ламп.

• 100% лавинные испытания
• 47 нКл Типичный низкий заряд затвора
• 40 пФ Типичный низкий Crss

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1442571

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.95

Максимальный непрерывный ток стока

21 A

Максимальное рассеяние мощности

170 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.7

Высота

9.4мм

Количество элементов на ИС

Series

QFETВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

160 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

300 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

FQP2 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

21A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

300V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

170W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 10.5A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

21 A

Pd - рассеивание мощности

170 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

160 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

300 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

230 ns

Время спада

100 ns

Длина

10.1мм

Другие названия товара №

FQP22N30_NL

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

QFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

16 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

QFET

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

85 ns

Типичное время задержки при включении

35 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

TO-220-3

Тип

MOSFET

Упаковка

Tube

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.1 x 4.7 x 9.4мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

35 ns

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

47 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1900 pF @ 15 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Техническая документация

Datasheet FQP22N30 , pdf , 799 КБ
Datasheet FQP22N30 , pdf , 783 КБ

FQP22N30 - характеристики, поставщики

Последняя цена 270 руб.

Техническая документация