STD25NF10LT4, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 150 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: D-Pak, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 25 А, 100 Вт

N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics
МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1442383

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

0.6

Максимальный непрерывный ток стока

25 А

Максимальное рассеяние мощности

100 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

6.2мм

Высота

2.4мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

35 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

6.6мм

Серия

STripFET II

Типичное время задержки выключения

58 нс

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Размеры

6.6 x 6.2 x 2.4мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

20 ns

Производитель

STMicroelectronics

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

38 нКл при 5 В

Типичная входная емкость при Vds

1710 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 V, +16 V

STD25NF10LT4 - характеристики, поставщики

Последняя цена 150 руб.