BSP50,115, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 60 руб.

Сравнить

Описание

транзисторы биполярные импортные

Транзисторы Дарлингтона, Nexperia

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1442168

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.7мм

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.7мм

Длина

6.7мм

Категория продукта

Транзисторы Дарлингтона

Конфигурация

Single Dual Collector

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Максимальный ток отсечки коллектора

0.05 uA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

60 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

Darlington Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-223-3

Ширина

3.7мм

Другие названия товара №

933986330115

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

1000

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,3 В

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

Тип корпуса

SOT-223 (SC-73)

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1.9 V

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальный непрерывный ток коллектора

1 А

Максимальный запирающий ток коллектора

-0.00005mA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 237 КБ
Datasheet , pdf , 189 КБ

BSP50,115 - характеристики, поставщики

Последняя цена 60 руб.

Техническая документация