IKW08T120FKSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 600 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы

корпус: TO-247, инфо: Биполярные транзисторы с изолированным затвором низкая потеря встроенный диод 1200В 8А

IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, от 1100 до 1600 В
Линейка IGBT-транзисторов от Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер от 1100 до 1600 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1441039

Технические параметры

Brand

Infineon

Package Type

TO-247

Base Product Number

IKW08T120 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO247-3

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

16.13mm

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Continuous Collector Current

16 A

Maximum Power Dissipation

70 W

Energy Rating

2.28mJ

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Width

5.21mm

Height

21.1mm

Pin Count

Dimensions

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Switching Speed

20kHz

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Channel Type

Gate Capacitance

600pF

Минимальная рабочая температура

40 C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20 V

Current - Collector (Ic) (Max)

16A

Current - Collector Pulsed (Icm)

24A

Gate Charge

53nC

Power - Max

70W

Switching Energy

1.37mJ

Td (on/off) @ 25В°C

40ns/450ns

Test Condition

600V, 8A, 81Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 8A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

IGBT Type

NPT, Trench Field Stop

Конфигурация

Single

Вес, г

Pd - рассеивание мощности

70 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.7 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

16 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

240

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247-3

Другие названия товара №

IKW08T120 SP000013885

Серия

Trenchstop IGBT3

Технология

Series

TrenchStopВ® ->

Коммерческое обозначение

TRENCHSTOP

Техническая документация

Datasheet , pdf , 511 КБ
Datasheet IKW08T120FKSA1 , pdf , 512 КБ

IKW08T120FKSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 600 руб.

Техническая документация