ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPW90R340C3FKSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPW90R340C3FKSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPW90R340C3FKSA1
Последняя цена
710 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: PG-TO247-3, инфо: Полевой транзистор N-канальный 900В 15A 340мОм TO247-3
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1439036
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
8.07
Максимальный непрерывный ток стока
15 A
Максимальное рассеяние мощности
208 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.21мм
Высота
21.1мм
Количество элементов на ИС
1
Series
CoolMOSв„ў ->
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
340 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
900 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
900V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
94nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
Power Dissipation (Max)
208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
340mOhm @ 9.2A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Длина
16.13мм
Серия
CoolMOS C3
Типичное время задержки выключения
400 нс
Тип корпуса
TO-247
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.1мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
70 нс
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
11 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
2400 пФ при 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
