BSH203,215, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 47 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: SOT-23 (TO-236AB), инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 470 мА, 0.17W

МОП-транзистор с каналом P, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1437168

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.03

Максимальный непрерывный ток стока

470 мА

Максимальное рассеяние мощности

417 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.4мм

Высота

1мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

900 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P, WRU

Base Product Number

BSH203 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

470mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 24V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

417mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 280mA, 4.5V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±8V

Vgs(th) (Max) @ Id

680mV @ 1mA

Длина

3мм

Типичное время задержки выключения

45 нс

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

2 нс

Производитель

Nexperia

Maximum Gate Threshold Voltage

0.68V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

2.2 nC @ 4.5 V

Типичная входная емкость при Vds

110 пФ при 24 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

470mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

417mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

P Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

680mV @ 1mA

Техническая документация

BSH203 , pdf , 237 КБ
Datasheet BSH203,215 , pdf , 232 КБ
Datasheet BSH203,215 , pdf , 117 КБ

BSH203,215 - характеристики, поставщики

Последняя цена 47 руб.

Техническая документация