ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SIS412DN-T1-GE3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SIS412DN-T1-GE3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SIS412DN-T1-GE3
Последняя цена
84 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: PowerPAKВR 1212-8, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 12 А, 15.6W
Тип упаковки-Tape and Reel (лента в катушке; Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 12 А, 15.6W
Корпус POWERPAK12128, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 12 А, Сопротивление открытого канала (мин) 24 мОм
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1435614
Технические параметры
Вес, г
0.1
Brand
Vishay
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
12A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
3.2W
Rds On - Drain-Source Resistance
24mО© @ 7.8A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30V
Vgs - Gate-Source Voltage
2.5V @ 250uA
Id - непрерывный ток утечки:
12 A
Pd - рассеивание мощности:
10 W
Qg - заряд затвора:
8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:
24 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток:
- 10 V, + 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :
1 V
Вид монтажа:
SMD/SMT
Время нарастания:
10 ns, 12 ns
Время спада:
10 ns
Другие названия товара №:
SIS412DN-GE3
Канальный режим:
Enhancement
Категория продукта:
МОП-транзистор
Количество каналов:
1 Channel
Коммерческое обозначение:
TrenchFET, PowerPAK
Конфигурация:
Single
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Минимальная рабочая температура:
- 55 C
Подкатегория:
MOSFETs
Полярность транзистора:
N-Channel
Производитель:
Vishay
Размер фабричной упаковки:
3000
Серия:
SIS
Технология:
Si
Тип продукта:
MOSFET
Тип транзистора:
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения:
13 ns, 15 ns
Типичное время задержки при включении:
5 ns, 15 ns
Торговая марка:
Vishay Semiconductors
Упаковка / блок:
PowerPAK-1212-8
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:
17 S
Техническая документация
Datasheet SIS412DN-T1-GE3 , pdf
, 594 КБ
Datasheet SIS412DN-T1-GE3 , pdf
, 532 КБ
Datasheet , pdf
, 541 КБ