ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJF15030G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MJF15030G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJF15030G
Последняя цена
220 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
корпус: TO-220FP, инфо: Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 8 А, 36W
Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1433187
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
3
Base Product Number
MJF15030 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
8A
Current - Collector Cutoff (Max)
10ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 4A, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
30MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Power - Max
2W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220FP
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Configuration
Одинарный
Pin Count
3
Minimum DC Current Gain
40@100mA@2V|20@4A@2V|40@3A@2V|40@2A@2V
Максимальное напряжение коллектор-база
150 В
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
NPN
Размеры
9.24 x 10.63 x 4.9мм
Высота
9.24мм
Длина
10.63мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
4.9мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
NPN
Product Category
Bipolar Power
Material
Si
Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage (V)
150
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
150
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.5@0.1A@1A
Maximum DC Collector Current (A)
8
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
10000
Maximum Power Dissipation (mW)
2000
Maximum Transition Frequency (MHz)
30(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tube
Automotive
No
Standard Package Name
TO-220
Supplier Package
TO-220FP
Military
No
Mounting
Through Hole
Package Height
16.12(Max)
Package Length
10.63(Max)
Package Width
4.9(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Through Hole
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
150 В
Максимальный пост. ток коллектора
8 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
30 MHz
Число контактов
3
Тип корпуса
TO-220
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
20
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 199 КБ
