BC807-40W,115, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 12 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы импортные

Примечание: !

Малосигнальные транзисторы PNP, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1430915

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOT-323 (SC-70)

Максимальное рассеяние мощности

200 мВт

Количество элементов на ИС

Length

2.2mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Nexperia

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Pin Count

Base Product Number

BC807 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-323

Power - Max

200mW

Тип транзистора

PNP

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

Maximum Power Dissipation

200 mW

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

1.35mm

Height

1mm

Current - Collector (Ic) (Max)

500mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Dimensions

2.2 x 1.35 x 1mm

Transistor Type

PNP

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-0.7 V

Maximum Collector Base Voltage

-50 V

Maximum Collector Emitter Voltage

45 V

Maximum DC Collector Current

500 mA

Maximum Emitter Base Voltage

-5 V

Minimum DC Current Gain

250

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

250 @ 100mA, 1V

Frequency - Transition

80MHz

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Техническая документация

BC807_BC807W_BC327 Datasheet , pdf , 234 КБ

BC807-40W,115 - характеристики, поставщики

Последняя цена 12 руб.

Техническая документация