ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPW90R120C3FKSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPW90R120C3FKSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPW90R120C3FKSA1
Последняя цена
1180 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: PG-TO247-3, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 36 А
Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1429780
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
3.5
Максимальный непрерывный ток стока
36 A
Максимальное рассеяние мощности
417 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.21мм
Высота
21.1мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
120 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
900 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
16.13мм
Серия
CoolMOS C3
Типичное время задержки выключения
400 ns
Тип корпуса
TO-247
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.1мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
70 нс
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
270 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
6800 пФ при 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
