2N7002DW, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 33 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов

корпус: SC-70-6, инфо: Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 115 мА

Режим улучшения Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor
Режим улучшения Полевые транзисторы производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс очень высокой плотности был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1428694

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.07

Максимальный непрерывный ток стока

115 мА

Максимальное рассеяние мощности

200 mW

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.25мм

Высота

1мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

13,5 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

2N7002 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

115mA

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

2 N-Channel (Dual)

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SC-88 (SC-70-6)

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250ВµA

FET Feature

Logic Level Gate

Power - Max

200mW

Id - непрерывный ток утечки

115 mA

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

7.5 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Длина

2мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Dual

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

2N7002DW

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

2 N-Channel

Типичное время задержки выключения

12,5 нс

Типичное время задержки при включении

5.85 ns

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-363-6

Продукт

MOSFET Small Signal

Тип корпуса

SC-70

Размеры

2 x 1.25 x 1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Изолированный

Типичное время задержки включения

5,85 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичная входная емкость при Vds

37,8 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet 2N7002DW , pdf , 260 КБ
Datasheet 2N7002DW , pdf , 258 КБ
Datasheet 2N7002DW , pdf , 257 КБ

2N7002DW - характеристики, поставщики

Последняя цена 33 руб.

Техническая документация