ZXMN3F30FHTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 3,7А, 0,95Вт, SOT23, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 49 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный полевой МОП-транзистор, 30 В, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

P/N

ZXMN3F30FHTA

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1428543

Технические параметры

Вес, г

0.01

Тип корпуса

SOT-23

Ширина

1.4мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Длина

3.04мм

Высота

1.12мм

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.12мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Производитель

DiodesZetex

Тип монтажа

Surface Mount

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

4.6 A

Максимальное рассеяние мощности

1,4 Вт

Максимальное сопротивление сток-исток

65 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

318 пФ при 15 В

Тип канала

Типичное время задержки выключения

17 нс

Типичное время задержки включения

1,6 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

7,7 нКл при 10 В

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet , pdf , 412 КБ
Datasheet ZXMN3F30FHTA , pdf , 398 КБ

ZXMN3F30FHTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 3,7А, 0,95Вт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 49 руб.

Техническая документация