ZXMC3A16DN8TA, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 140 руб.

Сравнить

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Массив Mosfet N и P-канал 30 В, 4,9 А, 4,1 А, 1,25 Вт для поверхностного монтажа 8-SO

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1428523

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel, P-Channel

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOIC

Максимальное рассеяние мощности

2,1 Вт

Ширина

4мм

Высота

1.5 mm

Transistor Material

Length

5мм

Brand

DiodesZetex

Минимальная рабочая температура

55 C

Максимальное сопротивление сток-исток

50 мΩ

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

17.5 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

4.9A, 4.1A

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

ECCN

EAR99

FET Type

N and P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.5nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

796pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)

Package / Case

8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 9A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

8-SO

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250ВµA (Min)

FET Feature

Logic Level Gate

Power - Max

1.25W

Id - непрерывный ток утечки

6.4 A

Pd - рассеивание мощности

2.1 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

35 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

6.4 ns

Время спада

9.4 ns

Длина

5мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

2 Channel

Конфигурация

Dual

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

500

Серия

ZXMC3

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel, 1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

21.6 ns

Типичное время задержки при включении

3 ns

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SO-8

Тип

MOSFET

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Isolated

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

5.4 A, 6.4 A

Maximum Power Dissipation

2.1 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4мм

Height

1.5мм

Maximum Drain Source Resistance

50 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

N, P

Минимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 312 КБ
Datasheet ZXMC3A16DN8TA , pdf , 313 КБ

ZXMC3A16DN8TA - характеристики, поставщики

Последняя цена 140 руб.

Техническая документация