ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
UMZ1NT1G, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 50 В, 200 мА, 250 мВт, 200 hFE, SC-70 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
UMZ1NT1G, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 50 В, 200 мА, 250…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
UMZ1NT1G, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 50 В, 200 мА, 250 мВт, 200 hFE, SC-70
Последняя цена
53 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
UMZ1NT1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1407462
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
50в
Стиль Корпуса Транзистора
sc-70
Рассеиваемая Мощность
250мВт
Полярность Транзистора
NPN, PNP
DC Ток Коллектора
200ма
DC Усиление Тока hFE
200hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.01
Техническая документация
Datasheet UMZ1NT1G , pdf
, 67 КБ