TSM4NB60CI C0G, Taiwan Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 320 руб.

Сравнить

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single

N-канал 600V 4A (Tc) 50W (Tc) сквозное отверстие ITO-220AB

Информация

Производитель

Taiwan Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1404140

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Package Type

ITO-220

Максимальное рассеяние мощности

25 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

6.1мм

Количество элементов на ИС

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Taiwan Semiconductor

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Typical Gate Charge @ Vgs

14,5 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.13V

Base Product Number

TSM4NB60 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

4A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Power Dissipation (Max)

50W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 2A, 10V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

ITO-220AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

4 A

Pd - рассеивание мощности

25 W

Qg - заряд затвора

14.5 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.2 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

20 ns

Время спада

19 ns

Длина

6.5мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

30 ns

Типичное время задержки при включении

11 ns

Торговая марка

Taiwan Semiconductor

Упаковка / блок

ITO-220-3

Упаковка

Tube

Тип корпуса

ITO-220

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

14,5 нКл при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Maximum Continuous Drain Current

4 А

Maximum Power Dissipation

25 Вт

Width

6.1мм

Height

2.28мм

Maximum Drain Source Resistance

2,5 Ω

Maximum Drain Source Voltage

600 В

Channel Type

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet TSM4NB60CI C0G , pdf , 1192 КБ
Datasheet TSM4NB60CI C0G , pdf , 823 КБ

TSM4NB60CI C0G - характеристики, поставщики

Последняя цена 320 руб.

Техническая документация