TIP32AG, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 74 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

корпус: TO-220AB, инфо: Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 3 А, 40 Вт

Силовые транзисторы PNP, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1398250

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

2.75

Base Product Number

TIP32 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

300ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 3A, 4V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

3MHz

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power - Max

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 375mA, 3A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.8 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

1 MHz

Number of Elements per Chip

Length

10.28mm

Maximum Collector Base Voltage

60 V

Transistor Configuration

Single

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

60 V

Package Type

TO-220AB

Maximum Power Dissipation

40 W

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

4.82mm

Maximum DC Collector Current

3 A

Height

15.75mm

Pin Count

Dimensions

10.28 x 4.82 x 15.75mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Minimum DC Current Gain

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Pd - Power Dissipation

Pd - рассеивание мощности

40 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

15.75 mm

Длина

10.53 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

3 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

60 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

3 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

Серия

TIP32A

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-220-3

Ширина

4.83 mm

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

3 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.2 V

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

PNP

Product Category

Bipolar Power

Material

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Operating Junction Temperature (°C)

-65 to 150

Maximum Base Current (A)

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

1.2@375mA@3A

Maximum DC Collector Current (A)

Maximum Power Dissipation (mW)

2000

Maximum Transition Frequency (MHz)

3(Min)

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tube

Automotive

Yes

Standard Package Name

TO-220

Supplier Package

TO-220AB

Military

Mounting

Through Hole

Package Height

9.28(Max)

Package Length

10.53(Max)

Package Width

4.83(Max)

PCB changed

Tab

Lead Shape

Through Hole

Техническая документация

Datasheet TIP31G/AG/BG/CG, TIP32G/AG/BG/CG (ON Semiconductor) , pdf , 81 КБ
Datasheet , pdf , 230 КБ
Datasheet , pdf , 84 КБ

TIP32AG - характеристики, поставщики

Последняя цена 74 руб.

Техническая документация