TIP29BG, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 62 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ

Биполярные транзисторы - BJT 1A 80V 30W NPN

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1398234

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

Base Product Number

TIP29 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

300ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 4V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

3MHz

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power - Max

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 125mA, 1A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

80V

Pd - рассеивание мощности

2 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

15.75 mm

Длина

10.53 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

Серия

TIP29B

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-220-3

Ширина

4.83 mm

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

3 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.7 V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 257 КБ
Datasheet , pdf , 111 КБ

TIP29BG - характеристики, поставщики

Последняя цена 62 руб.

Техническая документация