ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STW8NK80Z - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STW8NK80Z
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STW8NK80Z
Последняя цена
220 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: TO-247-3, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 6.2 А, 140Вт
MOSFET, N, TO-247; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 800V; Current, Id Cont: 6.2A; Resistance, Rds On: 1.5ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 3.75V; Case Style: TO-247; Termination Type: Through Hole; Case Style, Alternate: SOT-249; Current, Idm Pulse: 24.8A; Power, Pd: 140W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V: 1.5ohm; Transistors, No. of: 1; Voltage, Rds Measurement: 10V; Voltage, Vds Max: 800V
Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.5 Ом
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1388777
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
6.5
Максимальный непрерывный ток стока
6.2 A
Максимальное рассеяние мощности
140 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.15мм
Высота
20.15мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
1.5 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Pin Count
3
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
15.75мм
Серия
MDmesh, SuperMESH
Типичное время задержки выключения
48 нс
Тип корпуса
TO-247
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
17 нс
Производитель
STMicroelectronics
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
46 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1320 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
6.2A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
140W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
1.5О© @ 3.1A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
800V
Vgs - Gate-Source Voltage
4.5V @ 100uA
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant with Exemption
Lead Shape
Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)
6.2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
1500@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
800
Maximum Gate Source Voltage (V)
±30
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
140000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Through Hole
Packaging
Tube
Part Status
Active
PCB changed
3
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
TO-247
Supplier Package
TO-247
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
1320@25V
HTS
8541.29.00.95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
46@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
46
Typical Fall Time (ns)
28
Typical Rise Time (ns)
30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
48
Typical Turn-On Delay Time (ns)
17
Automotive
No
Military
No
Package Height
20.15(Max)
Package Length
15.75(Max)
Package Width
5.15(Max)
Tab
Tab
Process Technology
SuperMESH
Техническая документация
Datasheet STW8NK80Z , pdf
, 406 КБ
Datasheet , pdf
, 416 КБ
